五元系PMMSN压电陶瓷材料及其低温烧结

设计并研究了一种新型五元系压电陶瓷材料Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3(PMMSN).以材料的准同型相界附近的组成为研究对象,采用普通合成法、不同合成路径的先驱体法进行材料合成,通过添加低温烧结促进剂实现低温烧结,并研究其对材料性能的影响.结果表明,三组元复合先驱体法合成材料的性能最佳,1100℃烧结样品的性能参数为Qm=1916,kp=0.56,d33=326pC/N,ε33T/ε0=1349,tanδ=0.0043.添加Si O2,CdO可使材料烧结温度降低到850℃～950℃,且基本保持了材料的特性,在低温共烧叠层功率型压电陶瓷器件方面显示出好的应用前景.     

PbO过量对大各向异性改性PbTiO_3性能的影响

研究了一种新型的具有大各向异性的改性PbTiO3 陶瓷材料的性能随着材料制备中铅过量的变化而变化的关系 ,其中包括材料的机电耦合系数、机械品质因素、介电损耗等 .研究结果表明当铅过量为 1%～ 2 % (摩尔百分比 )时 ,材料的性能达到较佳 .通过分析认为 :当铅不足时 ,主要是由其它的B位掺杂离子取代A位的铅 ,从而造成配方B位离子的重新排列 ,材料的性能因而有所下降 ;当铅过量时 ,铅离子将取代A位的钙 ,部分钙离子将进入晶界 ,从而降低了材料的性能     

B位掺杂对改性PbTiO3陶瓷性能的影响

针对具有大各向异性的钙改性PbTiO3陶瓷材料,研究了在B位用镍铌和锌钨联合取代部分钛对材料性能的影响,研究结果表明：当Pb(Zn1/2W1/2)O3和Pb(Ni1/3Nb2/3)O3的掺杂量为3％（mol/mol）时,样品同时具有较大的压电各向异性和较高的机械品质因素,分析指出适合的B位取代会引起一定的晶格畸变以及较少的晶格缺位,使材料在极化后电畸充分转向,有利于提高压电各向异性和机械品质因素,用XRD和SEM对陶瓷的微观结构进行研究,发现随着镍铌取代量的增加,晶体结构的四方度有减小的趋势,从而导致材料性能相应的变化,利用这种变化可以对材料性能适当地进行调整。     

PbO过量对大各向异性改性PbTiO3性能的影响

研究了一种新型的具有大各向异性改性PbTiO3陶瓷材料的性能随着材料制备中铅过量的变化而变化的关系,其中包括材料的机电耦合系数、机械品质因素、介电损耗等,研究结果表明当铅过量为1％－2％（摩尔百分比）时,材料的性能达到较佳,通过分析认为：当铅不足时,主要是由其它的B位掺杂离子取代A位的铅,从而造成配方B离子的重新排列,材料的性能因而有所下降;当铅过量时,铅离子将取代A位的钙,部分钙郭了将进入晶界,从而降低了材料的性能。     

B位掺杂对改性PbTiO_3陶瓷性能的影响

针对具有大各向异性的钙改性PbTiO3陶瓷材料 ,研究了在B位用镍铌和锌钨联合取代部分钛对材料性能的影响 .研究结果表明 :当Pb(Zn1 2 W1 2 )O3和Pb(Ni1 3Nb2 3)O3的掺杂量为 3 % (mol mol)时 ,样品同时具有较大的压电各向异性和较高的机械品质因素 .分析指出合适的B位取代会引起一定的晶格畸变以及较少的晶格缺位 ,使材料在极化后电畴充分转向 ,有利于提高压电各向异性和机械品质因素 .用XRD和SEM对陶瓷的微观结构进行研究 ,发现随着镍铌取代量的增加 ,晶体结构的四方度有减小的趋势 ,从而导致材料性能相应的变化 ,利用这种变化可以对材料性能适当地进行调整     

压电变压器在计算机高压电源上的应用研究

介绍了计算机CRT单频单色显示器用压电陶瓷变压器高压电源的工作原理和基本特征，试验证明用压电陶瓷变压器替换传统逆程变压器时不仅能完全满足计算机单色显示器的技术要求，而且降低了成本，大大缩小了高压包的体积，提高了计算机显示器的可靠性。     

压电陶瓷变压器在雷达CRT显示器高压电源中应用研究

以四元系PMMN压电陶瓷变压器为升压器件,以脉宽调制器(PWM)和MOSFEET管所组成的开关振荡器为驱动电路,研制出适用于雷达显示系统的多路输出10kV压电陶瓷变压器高压电源．由于压电陶瓷变压器具有许多优点,不仅提高雷达整机的可靠性,而且能适应当前军事产品小型化、机动性强的发展需要．