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基于分子模拟方法的HEDP阻垢机理研究 总被引：3，自引：1，他引：2
运用分子模拟的计算方法，模拟了羟基亚乙基二膦酸（HEDP）分子在方解石{104}面上扭折点处的吸附，以及方解石{104}面上扭折点附近碳酸钙分子的沉积过程．计算结果清楚地表明，HEDP分子的膦酸基团中的负电基团与方解石晶体扭折点处的Ca^2＋发生了强烈的静电作用，使HEDP分子牢固地吸附在扭折点上，从而抑制了碳酸钙分子的沉积，并阻断了扭折点处碳酸钙分子的快速生长．分子模拟计算证实HEDP的阻垢效果来自扭折点的吸附． 相似文献
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