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1.
中子嬗变掺杂可以作为在GaAs材料中引进均匀的没有补偿的低掺杂的有用方法。当GaAs被热中子轰击时,其中所含的天然同位素~(69)Ga,~(71)Ga和~(75)As发生如下的反应  相似文献   
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