BmNn、BmNn-和BmNn＋电子特性的研究

本文采用密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法，在6-31G（d）相同水平上计算了BmNn（m＋n＋15）的绝热电子亲和势，BmNn-的垂直电离势，BmNn＋的绝热电离势和垂直电离势。结果表明：BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱，B2N2-失电子能力最强，BN4-失电子能力最弱，BN2-和B2N-．BN-和B3N-的垂直电离能力相同。     

BmNn和BmNn^＋团簇结构的研究

本文采用密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法,在6-31G（d）水平上对BmNn（m＋n≤5）团簇及其阳离子的几何构型、电子结构进行了理论研究,结果表明：BmNn（m＋n≤5）团簇的基态构型中,BN、B2N、B3N、B2N3,和B3N2均为线形结构,其余均为平面结构;BMNN^＋（m＋n≤5）团簇的基态构型中,BN^＋、B2N2^＋、BN3^＋,B2N3^＋、和B4N^＋均为线形结构,其余均为平面结构。