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采用有机金属化合物化学气相沉积法(MOCVD)在浮法玻璃上沉积了F掺杂的氧化锡薄膜,制备低辐射镀膜玻璃,并在高温电阻炉和钢化炉内分别进行热处理和钢化实验,对不同条件下的电学性能进行了研究。采用XPS和AES对薄膜中[O]/[Sn]平均含量的变化进行了分析。结果表明,在650℃之内,表面电阻没有发生明显改变,但此后快速上升至86.68Ω/□;薄膜O和Sn的含量不符合化学计量比,[O]/[Sn]比均小于1.20;随着热处理温度的提高和时间的延长,薄膜中O含量有所提高,与表面电阻的变化趋势接近。 相似文献
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