GaAs能带的非局域势计算

本文用紧束缚方法计算了GaAs的能带,计算中采用了每原子四个S-P Slater轨道为基函数,并考虑了晶体赝势的非局域性,与Pandey等[1]的精确结果比较,价带和导带能较好地符合,但个别导带能量的误差稍大些。     

铬的3d能带结构

本文用紧束缚方法计算了铬的3d能带结构和状态密度。计算中采用了Herman和Skillman的原子波函数和由此计算得到的原子位场。计算的3d能带结构和状态密度与其他作者计算结果相似,得到的3d带宽填充带宽和低温电子比热系数与实验值符合较好。最后着重讨论了计及交换作用对计算结果的影响。