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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析,用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。 相似文献
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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si纯ZnO相的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。结果表明:用该法可生长出正化学比的纯ZnO相,脉冲激光淀积(PLD)法生长ZnO/Si样品时氧离子束辅助(O^ -assisted)是必要的。 相似文献
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室温铁磁性半导体MnxGa1-xSb 总被引:2,自引:0,他引:2
采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用. 相似文献
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