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1.
Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究
刘传珍
杨伯梁
李牧菊
吴渊
张玉
廖燕平
王大海
黄锡珉
邱法斌
《吉林大学学报(理学版)》
2000,(3)
利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属 Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨
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