初始原料hBN的结晶度及添加剂对cBN合成的影响

在压力为4.5~5 GPa,温度为1 500~1 700℃内,以Li3N为触媒研究了结晶程度不同的hBN在有或无添加剂LiH情况下对cBN合成难易程度的影响.通过X-光谱对初始原料进行了分析并用显微镜观察了合成产物.结果表明:在不添加LiH的情况下,结晶度高的hBN较容易合成cBN,而添加LiH后,与上述结果相反,结晶度较低的hBN较容易形成cBN.     

花状Ag/ZnO复合光催化剂制备及其光催化性能

以氯化锌(ZnCl2)、氢氧化钠(NaOH)和硝酸银(AgNO3)为原料,采用沉淀法和紫外光照射法制备花状Ag/ZnO复合光催化剂;利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对样品物相、结构和形貌进行测试与表征;通过紫外光照射降解罗丹明B(RhB)研究Ag/ZnO复合物的光催化性能.结果表明:Ag添加可以有效提高Zn...     

磷酸铜表面修饰富锂层状正极材料的制备及电化学性质

用溶胶 凝胶法制备富锂锰基层状正极材料Li_1.18Ni_0.15Co_0.15Mn_0.52O₂, 并对其进行Cu₃(PO₄)₂表面修饰. 用X射线衍射, 扫描电子显微镜和红外光谱测试样品的表面形貌, 并对样品进行恒电流充放电测试及电化学阻抗谱测试. 结果表明: Cu₃(PO₄)₂均匀包覆在材料表面, 以非晶态存在, 修饰后Li+在过渡金属层中的有序排列被破坏; 表面修饰后富锂材料的首圈库仑效率由77%提高至94%； 表面修饰前后材料的初始放电比容量均为244 mA·h/g, 100圈循环后经Cu₃(PO₄)₂表面修饰的富锂材料的放电比容量为203 mA·h/g, 容量保持率为83%； 表面修饰后的材料在3.0,2.7 V出现了一对氧化还原峰, 相对应在充放电曲线出现新平台; Cu₃(PO₄)₂修饰后富锂层状正极材料的阻抗明显减小.     

通过恰当控制入射光强度来准确测量普朗克常量

为了消除因光电流曲线的变化率的差异对确定截止电压的影响,提出了通过恰当地控制入射光强度,使不同频率的光电流曲线的变化率相同;为了消除光电流曲线的起始位置和线性部分的倾斜程度不同对确定截止电压的影响,提出了采用"平行等距法"确定截止电压;为了抑制漂移对测量的影响,提出了适当降低仪器的灵敏度,提高仪器稳定性的测量原则.实验结果表明:采取这些措施,测量普朗克常量相对误差由2.5%可降到0.7%.