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本文介绍一种１０２４位ＭＯＳ随机存储器电路。采用Ｐ沟硅栅工艺，标准的四管单元结构。电路设计的主要特点是：１．在地址译码器中串入由内部时钟控制的接地管，完全消除了直流通路，使功耗大大降低；２．地址码封锁电路采用了一种由时钟控制的单管门形式，简化了电路；３．字线通过一个小跨导的放电管接地，提高了抗干扰能力。 相似文献
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