排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构, 利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺, 研制了多量子阱半导体环形激光器样品. 该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射, 然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出. 环形谐振腔直径为700 μm, 波导宽度为3 μm. 用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱, 其阈值电流为120 mA, 在注入电流160 mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602 nm, 并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析. 相似文献
2.
InAlAs/InGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现 总被引:1,自引:1,他引:1
提出了基于耗尽型InAlAs/InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路,并给出了设计方法与实验结果,该前置放大器采用单电源供电,单端输入,双端差动输出,由两级源级跟随器,一级输出级以及一个反馈电阻组成。当前置放大器工作在2.5Gbit/s时,跨阻可达62.5dBΩ,采用+5V电源供电,功耗为272mW。 相似文献
1