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成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构的C—V特性测量及实际应用试验表明,SIPOS膜具有优良的钝化性质和钝化效果。 相似文献
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