首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
综合类   2篇
  2015年   1篇
  2012年   1篇
排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用 XRD和SEM对制备的 GaN 纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,直径为100~200 nm,长度达几微米,GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。  相似文献   
2.
本文从实际应用角度针对旅游、出差等设计的一款旨在电子设备缺电下不能正常工作时的充电设备。采用光电板和手动机械装置完成电能的传输、转化和利用,该装置设计小、功能强大、效率高、功耗低、便于携带使用等优点.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号