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本文分析及研究了作者对绝缘栅PMOS场效应结构所进行的SUPREM—SEDAN联机模拟.重点在衬底电阻率(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果.同时,定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为.揭示了上述效应的机理. 相似文献
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“雄关漫道真如铁,而今迈步从头越”,石家庄铁道学院科研工作正以强劲的发展势头,在为国家重点工程科技攻关的同时,积极面向地方经济建设,继续保持和发扬光荣传统和科技优势,创造新的辉煌。 相似文献
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本文以PMOS结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。 相似文献
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介绍了集成电路虚拟工厂系统TaurusWorkbench。并基于CMOS工艺的特点,在TaurusWorkbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法。 相似文献
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介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench.并基于CMOS工艺的特点,在Tau-rus Workbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法. 相似文献
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本文介绍了集成电路工艺设计仿真平台的系统集成及交互功能设计等技术实现。该系统成功地使用诸多VB-API函数。完成了集成电路工艺设计仿真平台的系统集成研究。其研究与开发路线对实现适时性的CAD仿真环境的系统集成开发具有一定的可借鉴性。 相似文献
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PMOS—FET栅氧电荷动态行为的计算机模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
分析了绝缘栅PMOS—FET结构的工艺及器件模拟数据,获得了衬底电阻车在8~15Ω·cm范围内变化时与MOS结构阈值电压之间的定量关系.模拟结果与实验现象相一致.同时,定量地描述了在常规偏压条件下栅氧层中表面电荷的分布及行为,揭示出阈值电压随衬底掺杂浓度的变化而发生变化的体效应机理. 相似文献
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本文介绍了作者在微电子工艺PECVD氮化硅制备过程中对其Si/N比值进行测定及工艺监控的技术手段和方法。 相似文献
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介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench。并基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法。 相似文献