首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   0篇
综合类   1篇
  2013年   1篇
排序方式: 共有1条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
使用Matlab软件对N方势垒在偏压下电流随电压的变化关系进行了模拟计算,计算结果表明N方势垒的伏安特性(I-V)曲线上显现出非线性效应和震荡效应。利用溅射方法将Au颗粒沉积在经过电化学腐蚀处理的硅基片上,得到具有纳米结构的Au膜。采用SEM对基片表面上的金膜进行观察,发现了纳米颗粒的聚集体,样品的I-V曲线测试结果表明:常温下,测得电流在0至1.5×10-6A范围内,样品电阻率呈非线性电阻效应和振荡效应;N方势垒模型的模拟计算结果与实验测量结果很好的吻合。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号