往复区熔对n型温差电材料性能均匀性的影响

本文采用往复区熔法生长了掺杂 Sb I3的 ( Bi2 Te3) 0 .90 ( Sb2 Te3) 0 .0 5( Sb2 Se3) 0 .0 5赝三元 n型半导体温差电材料 ,测定了晶棒轴向温差电性能 .所制备的质量为 2 0 0 0 g,直径为 33mm的 n型晶锭 ,6 0 %左右可利用部分的温差电参数分布为 :温差电动势率 α=2 0 9～ 2 0 6 μV/K;电导率 σ=935～ 1 0 30 /Ω.cm;热导率K=1 .5 2～ 1 .5 5 W/( m· K) ;温差电优值 Z=2 .6 9～ 2 .84× 1 0 - 3/K.     

温差电致冷原理及赝三元半导体致冷材料的性能

本文从温差电致冷原理出发,分析了哈师大物理系研制的大尺寸优质半导体致冷材料的主要温差电性能。     

4-氨基二苯胺-2-磺酸的合成工艺研究

针对联苯胺作为合成染料的重要中间体已被确认为致癌物的情况,以对硝基氯苯为原料,经磺化、缩合、还原,合成了一种无致癌性并取代联苯胺的双胺化合物染料中间体4-氨基二苯胺-2-磺酸,利用红外光谱、差热和氢谱核磁对其性质进行了表征。     

温差电材料室温热导率测试装置的研制

本文介绍了半导体致冷材料在室温条件下热导率测试装置的制作原理及方法。本装置的特点是采用绝对稳态法测试，样品做得薄，侧面散热小，测试误差小。     

区熔炉简易数显恒温控制装置

本恒温控制装置采用价格低廉的运算放大器和三位半数字电压表专用集成电路，具有较高的控温精度，经４年的使用对半导体区熔炉的控温效果良好。