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本文研究了氧化温度为1150℃,HCl与O_2的体积比为0%、6%、8%、10%、12%,硅的热生长二氧化硅(SiO_2)层,逐层腐蚀的金相观测.在SiO_2层厚度为1400A°范围内,金相观测获得的由富氯相(Chlorine rich phase)引起的表面粗糙物形态,与文献[1]报导的扫描电子显微镜(SEM)观测相同.C-V测试的结果表明:HCl与O_2的体积 相似文献
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