锗隧道二极管的实验研制

一、引言隧道二极管在无线电技术领域中,显示了广泛应用的可能性。由于应用上对隧道二极管的基本参数提出了各种要求,因此,有必要探明控制隧道二极管基本特性的可能性。本工作根据隧道二极管的制备原理,为了满足应用上对电流峯谷比大、电压摆幅大和时间常数小的要求,寻找其制备的最佳条件,并在此过程中建立及查明其基本参数的可控制条件。我们是按合金法制备锗隧道二极管的,结合实验室具体情况,分别控制:底片浓度、合金成分、熔合温度三个因素中的任意二个,而改变其它一个。p-n 结     

锗隧道二极管基本参数均匀性问题的初步探讨

一、引言隧道二极管参数的一致性差,增益小,输出与输入隔离性不好,是其最大的缺点,这除通过电路技术得到克服外,在隧道二极管的研制问题上,对其参数均匀性控制问题进行探讨是有实际意义的。关于如何控制隧道二极管基本性能参数问题,许多文献有过不少报导。其中例如:1963年等人研究了锗的掺杂浓度对隧道二极管参数的影响,提出了通过选择