氮化铜薄膜的结构与组成分析

采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

光子自旋分量的表示与测量

描述了光子自旋沿任何方向分量的本征值及对应的本征矢,在任意两个相互垂直方向上,在第一个方向自旋分量的本征态中测量第二个方向自旋分量时,对获得它的各个本征值的概率的求法进行了讨论,并运用所得结果计算出用施特恩-格拉赫装置测量粒子自旋分量的概率.     

拉格朗日方程中(■T/■q_α)的物理意义的讨论

对第二类Logrange方程中的(?)T/(?)q进行讨论。     

正常塞曼效应与反常塞曼效应的比较

从磁场的强弱、朗德g因子取值、量子力学微扰论等三个方面对正常塞曼效应和反常塞曼效应进行了比较，揭示了正常塞曼效应和反常塞曼效应之间的区别和联系．     

爱因斯坦-玻尔关于量子力学诠释之争

在20世纪物理学发展进程中，存在着许多争论，其中争论时间最长、涉及问题最多、影响最深的莫过于爱因斯坦与玻尔关于量子力学诠释之争。现在我们站在世纪之交的门槛上，回顾和分析这场争论，对于量子力学的理解及其哲学实质的认识是很有意义的。...     

有初始曲率宽板弹塑性弯曲下应力与应变分析

对有初始曲率平板的弹塑性纯弯曲进行了详细的理论分析，导出了其应力与应变的计算公式，从理论上证明了曲板在完全塑性弯曲阶段中性层面位置将向内移动，并给出了中性层面半径的计算公式。     

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.     

杨氏模量实验装置的比较研究

通过对静态拉伸法测钢丝杨氏模量的几种实验装置的结构、安装和调节及实验数据处理结果进行综合比较认为:从学生实验的角度出发,既要达到一定的实验精度又保证教学效果,装置一是其中最适合的一种.