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运用规范变换将电磁场中的库仑势和洛伦兹势进行相互转换,从而说明库仑势和洛伦兹势之间的相互联系.
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提出一种利用高分辨率透射电子显微镜(high resolution transmission electron microscopy,简称HRTEM)对半导体芯片内部微纳几何结构的精确测量方法,分别讨论了测定过程中制样的影响、测量设备放大倍率的校验、样品晶向校对以及不同情况下内标法和标称法的选用.该方法对半导体工业中HRTEM的应用有一定的指导意义.
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