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1.
用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退米后几乎彻底消失。0~50L的氧暴露量范围内OlsXPS的结合能为529.6eV,来是格氧。Gd/Ni(110)径微氧化再  相似文献   
2.
应用同步辐射 (h ν =100 eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论.  相似文献   
3.
应用同步辐射 (hν =10 0eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论 .  相似文献   
4.
用同步辐射光电发射谱 (SRPES)和XPS研究了室温下Gd膜在Ni(1 1 0 )上的生长和Gd Ni界面的电子结构以及它们的氧化现象 .发现Gd膜在高覆盖度时Gd 4f为双峰结构 ,高温退火使 4f双峰退为单峰 .氧在 3.7nm的Gd膜上的吸附引起Gd 4f双峰中高结合能峰的衰减 ,在 0L~ 5 0L的氧暴露量范围内 ,只存在单一的晶格氧物种 .在轻微氧化的Gd Ni复合薄膜上 ,氧吸附引起Gd向表面的偏析和进一步氧化 ,并存在化学吸附氧 (O-)和晶格氧两种氧物种 .本文对Gd 4f双峰的起源 ,Gd氧化机理以及氧物种的本质进行了讨论  相似文献   
5.
应用Auger电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS)和程序升温热脱附谱(TDS)研究了SmOx/Rh(100)模型表面的制备及CO在该表面的吸附。Sm和氧的强亲合作用经起了Sm在表面的强烈偏析。氧化表面的高温热处理,导致SmOx在Rh(100)表面的进一步聚集,与120K吸附在清洁Rm(100)表面的CO的热脱附谱相比较,吸附在SmOx/Rh(100)表面的CO的热脱附谱中在176,331和600K出现了新的脱附峰,其中位于176K的脱附峰可归属于吸附在SmOx岛上的CO的脱附,而位于331,600K的脱附峰的出现与表面Sm原子的氧化程度有关,可分别归属为吸附在富氧和贫氧SmOx岛周界面Rh原子上的CO的脱附。  相似文献   
6.
Rh(100)上Sm膜及Sm/Rh表面合金的结构和性质   总被引:1,自引:1,他引:0  
应用AES,LEED,XPS和TDS研究了稀土金属Sm室温下在 Rh(100)表面上的生长过程.发现室温下Sm膜的生长服从Stranski-Krastanov生长模式,XPS证明为三价的“金属态” Sm.但Sm膜经 900K高温退火后可形成C(52~(1/2)×2~(1/2))R45°和 C(2×2)超结构的有序表面合金;同时,芯能级 Sm3d5/2向高结合能方向位移了0.7eV,表明有电子进一步由 Sm向衬底 Rh传递,导致在 Rh上吸附的 CO分子的热脱附峰温增加.  相似文献   
7.
运用自旋涂膜(spin-coating)技术在清洁的Si片衬底上制备出共轭聚合物(regioregular poly(3-hexylthiophene), rr-P3HT)薄膜样品, 利用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合常规X射线光电子能谱(XPS), 原位观测金属Ca在rr-P3HT表面沉积过程中的化学反应与界面电子结构. 发现在Ca沉积过程中, Ca不仅引起rr-P3HT能带弯曲, 而且选择性地与rr-P3HT中的S元素发生化学反应, 而与C元素没有明显的化学反应. 同时, 通过对Ca/rr-P3HT界面的价带和二次电子截止边变化的考察, 获得了Ca/rr- P3HT界面清晰的能级排布图像.  相似文献   
8.
利用以同步辐射光为激发光源的高分辨光电子能谱研究了NO2与Au(997)单晶表面的相互作用. 芯能级和价带光电子发射结果都表明170 K低温条件下, 低暴露量时NO2在Au(997)表面上发生分解, 形成NO(a)和O(a)的共吸附表面物种. 当样品在300 K退火时, NO(a)发生脱附, 而O(a)依然吸附在Au(997)表面上. 退火温度升至750 K时, 表面上O(a)的信号完全消失. 结果表明, 在超高真空条件下, 利用NO2的热分解是在Au(997)表面上制备原子氧吸附物种的有效方法.  相似文献   
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