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1.
嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究
敦少博
卢铁城
胡强
于晓林
胡又文
曾颖秋
张松宝
唐彬
代君龙
《四川大学学报(自然科学版)》
2005,42(2):347-352
作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.
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