用新的装置测定半导体的产生寿命及杂质浓度分布

研制了一个结构不复杂,但噪声较低、精度较高的电子测试装置。利用它我们就可直接得到Zerbst图,因而测得半导体的体内产生寿命和表面产生速度。除此而外,我们还可用它来绘出半导体掺杂浓度的纵向分布.     

ω介子的“π介子+电子对”衰变方式

在文献中曾利用积点近似方法,计算了ω,ρ,K~*粒子的各种衰变方式的衰变率,但在这些文献以及其他文献中,对ω,ρ,K~*粒子的“π介子+电子对”衰变方式,(ω→π~0+e~++e~-,ρ→π+e~++e~-,K~*→K+e~++e~-)的衰变率均未进行计算。表面看来,对这些过程应该存在两个电磁顶点,同时末态为三个粒子,所以衰变率应该     

τ、τ’衰变的单π介子中间态模型

(1)在文献[1]中曾指出,下面的极点近似图形(图一),能对K,η的三π衰变方式的unlike介子实验能谱作出十分成功的解释。然而,如S.Hori[2]所指出的,这里将存在这样两个困难:即从极点近似的观点看来,我们没有理由不考虑(图