超细五氧化二锑的制备

以三氧化三锑和双氧水为原料，其量比为1：1．8，在90℃下回流反应60min，在稳定体系中制得水系五氧化二锑胶体；用喷雾干燥方法制备了平均粒径为0．5μm的五氧化二锑粉末，测试了其物化性能；加入5％的该产品在PVC中，其氧指数为39。     

应用化学专业“应用化学综合实验”课程的改革实践

以中南大学应用化学专业课程体系与教学内容的改革为基础,阐述了近4年来"应用化学综合实验"课程的教学内容、教学方法、教学手段的改革实践,对比了改革实践前后的教学效果,强调学生综合素质和创新意识的培养.     

在高校中加强环境保护意识培养

高校教育培养各种专业技术人才,环境教育要渗透到基础教育中。通过在化学基础课程和素质教育中培养大学生的环境保护意识,学习环境基本概念,对我国可持续发展战略具有重要作用。     

新型PVC热稳定剂——三(羟基乙硫醇)锑的合成

研究了一种新型硫醇锑类热稳定剂———三 (羟基乙硫醇 )锑的合成及其应用 .实验时以三氧化二锑和巯基乙醇为原料 ,采用一步法直接化合生成三 (羟基乙硫醇 )锑 .此外 ,探讨了反应温度、反应物配比、反应时间等因素对产率的影响 .实验结果表明 :以二甲苯作为带水剂 ,反应物Sb2 O3与 6HSCH2 CH2 OH的量比为 1∶1 .2 ,加热回流 1 .0h ,得产品的收率为 93.8% ;三 (羟基乙硫醇 )锑为浅黄色液体 ,其折光率Dn2 0 为 1 .44 79;当三 (羟基乙硫醇 )锑的添加量为2 5份时 ,PVC树脂的热稳定时间为 46min(2 0 0℃时 ) .其热稳定性能优于钙 锌、铅盐复合热稳定剂 ,与二月桂酸二丁基锡的热稳定性能相当 .     

基于AR的移动端无机化学实验预习软件设计

增强现实(AR)是一种将虚拟与现实联系起来的技术,可以提供一种新型的教学方式,打破传统教育方法的局限性,促进传统的实验教学.通过使用3Ds Max及Unity3D软件开发出一款应用于Android平台的AR软件,为用户构建了一个三维虚拟无机化学实验环境,提供了一种新的预习方式,涵盖实验基本介绍、实验流程、仿真实验、实验...     

Eu(BA)3/SiO2复合材料的制备及其发光性能

采用溶胶一凝胶技术两步法把Eu(BA)3掺入到SiO2中制备Eu(BA)3/SiO2复合发光材料,并对其发光性能进行研究.研究结果表明,制备Eu(BA)3/SiO2复合发光材料的晟佳工艺条件是水与正硅酸乙酯摩尔比为4,正硅酸乙酯、盐酸和六次甲基四胺的摩尔比为17.5×10-45×10-3,陈化温度为40℃,掺入SiO2中的苯甲酸和铕离子的摩尔比为31,苯甲酸铕掺入量为1%.对Eu(BA)3粉体和Eu(BA)3/SiO2复合发光材料荧光光谱进行比较发现Eu(BA)3/SiO2复合发光材料激发光谱最大吸收峰变窄,同时发生蓝移,由288 nm蓝移到280 nmEu(BA)3/SiO2复合发光材料发射光谱在594 nm和618 nm处分别出现Eu3 的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁发射,单位质量稀土配合物的发光强度是Eu(BA)3粉体的3倍左右.     

光催化分解活性染料及其高效催化剂

以太阳光为光源、活性染料活性红为主要研究对象 ,研究了用光化学催化降解有机物的新方法及其催化机理 .研究结果表明 :光可激发H2 O2 的氧化反应 ,加快活性染料的氧化褪色速度 ;TiO2 粉末的光催化作用也较显著 ;一种廉价、无毒催化剂 (CHY)具有很强的光催化性能 ,在同等光照和pH值条件下 ,该催化剂对染料的褪色速度为H2 O2 的 3倍 ,TiO2 的 15倍 ,且与H2 O2 或 (和 )TiO2 具有协同作用 ,使染料的光解褪色速度进一步加快 .高效光催化剂CHY的发现为工业上合理利用太阳能 ,实现光化学降解有机污染的产业化提供了一条可行的新途径 .     

二茂铁-肽Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OMe的合成和电化学性质

以二茂铁二甲酸、甘氨酸、酪氨酸和精氨酸为原料,通过多步反应,合成新的二茂铁-肽衍生物Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OMe(7)(Fca代表二茂铁氨基酸)和Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OH(8),对寡聚肽的合成进行研究;对合成产物进行红外光谱和氢核磁共振谱表征,并运用循环伏安(CV)方法对产物的电化学性能进行研究。研究结果表明:产物(7)和(8)的产率分别为83.5%和80.2%;Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OMe的循环伏安扫描结果是氧化峰和还原峰电位分别为0.385V和0.346V,峰电位之差ΔEp为41 mV,峰电流密度之比Jpa/Jpc为1.055;对于Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OH,其氧化峰和还原峰电位分别为0.532V和0.453V,峰电位之差ΔEp为79mV,峰电流密度之比Jpa/Jpc为0.928。