低温GaAlAs/GaAs二次液相外延

本文报导了具有内电流限制掩埋新月型GaAlAs/GaAs半导体激光器的液相外延过程。解决了在暴露于空气中的Ga_(1-y)Al_yAs(111)面上的生长问题,观察到了Ga_(1-y)A1_yAs对熔体生长具有抗回熔作用。根据扩散理论,建立了在非平面衬底上液相外延生长速率模型,给出了生长厚度与生长时间的关系,其实验结果和理论值相比较,两者符合得较好。