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非晶和纳米ZrO2.Y2O3的EXAFS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用扩展X射线吸收精细结构技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2*15%Y2O3体系进行了研究.分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的Zr-O配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减小,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Zr-O配位层更大的无序.这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多. 相似文献
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论文研究了高密度发光材料Pb2MgWO6的制备方法,测量了它在室温下的结构,光致发光谱,激光发谱和漫反射谱,Pb2MgWO6多晶粉末由固相反法制备,制备时配料中一定剂量的MgO过剩有利于形成稳定的单相Pb2MgWO6,且抑制寄生相的形成,烧结时间和温度,冷却过程对寄生相的生成也有显著影响,可能是过剩MgO对Pb2MgWO6晶核的包敷作用所致,由X-射线衍射得到Pb2MgWO6的计算密度为9.26g/cm^3,Pb2MgWO6光致发光光谱的激发带位于200nm-300nm,发射峰位于482nm和579nm. 相似文献
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论文研究了高密度发光材料Pb2 MgWO6的制备方法 ,测量了它在室温下的结构、光致发光光谱、激发光谱和漫反射谱 .Pb2 MgWO6多晶粉末由固相反应法制备 ;制备时配料中一定剂量的MgO过剩有利于形成稳定的单相Pb2 MgWO6,且抑制寄生相的形成 ;烧结时间和温度、冷却过程对寄生相的生成也有显著影响 ;可能是过剩MgO对Pb2 MgWO6晶核的包敷作用所致 .由X 射线衍射得到Pb2 MgWO6的计算密度为9 2 6g/cm3 .Pb2 MgWO6光致发光光谱的激发带位于 2 0 0nm~ 30 0nm ,发射峰位于 482nm和 579nm 相似文献
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利用扩展X射线吸收精细结构技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2.15%Y2O3体系进行了研究,分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的结构中,最后邻的Zr-O配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300度时已经形成和900度相同的最近邻局域结构,而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减少,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Z r-O配位层更大的无序,这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近孤影响大得多。 相似文献
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测定了粉末ZnS:Mn的光声光谱和荧光激发光谱,并通过漫反射光谱反映Mn2+不同能态对光的吸收;测定了粉末ZnS:Mn中Mn2+五个激发态的量子效率,对三种光谱的分析表明光声光谱同荧光激发光谱具有互补性.这种新方法可望用于其它粉末状发光材料. 相似文献
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本文以探索发光材料BaBr_2:Eu的最佳制备条件为例,介绍了区间消去法在优化制备条件中的应用。在多因素条件的制备过程中,由于采用了降维和复合区间消去法,大大减少了试验次数,特别是对某些未知的新材料,初始制备条件复盖的范围较宽的情况下,本文介绍的方法可以最少的试验次数找到符合要求的最佳制备条件。 相似文献
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