LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO:Cu2+晶体的电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.     

四角对称V4+离子化合物光谱和电子顺磁共振谱的理论研究

用对角化完全能量矩阵方法和微扰方法计算了分别由辛基胺(R3N, TOA)和辛基磷化物(R3PO, TOPO)二种物质在盐酸溶液中萃取的四角V4+离子化合物的光谱带和电子顺磁共振(EPR)参量. 计算结果表明, 由这二种微观理论方法计算的光谱带和EPR参量不仅互相非常接近, 而且也与实验值较好的符合. 这说明人们可以用这二种方法来研究固体中3d1过渡金属离子基团的光谱和EPR谱.     

开放式学习平台

“大学物理开放式学习平台”是为实施重庆市重大教改项目“提高重庆地区本科学生实践创新能力的研究与实践”（09-1-011）、“地方工科高校跨学科、复合型应用人才培养模式的探索与实践”（0624061）和“在应用型本科人才培养的物理系列课中实施创新教育的探索与实践”（0633118）而进行的系列改革与实践成果之一,本平台由重庆科技学院牵头负责。目的是营造师生互动、自主学习和探索研究的氛围,激发学生的求知欲与创新欲,实现教学模式向知识传授与探索研究相结合的根本转变。     

MPO4 (M=Sc, Lu, Y) :Ti3+ 自旋哈密顿参量的理论研究

利用高阶微扰方法和完全对角化方法分别计算了MPO4 (M=Sc, Lu, Y) ：Ti3+的自旋哈密顿参量（g 因子 g// , g和超精细结构常数A//, A),两种方法的计算结果非常接近,并且均和实验值吻合的很好,这表明这两种方法都是研究过渡金属离子自旋哈密顿参量的有效方法。另外,还对所研究的三种不同材料的共价性和芯极化常数性质进行了讨论。     

Y2Ti2O7: Cr3+晶体中Cr3+杂质中心EPR参量及缺陷结构研究

本文利用强场图像中的高阶微扰公式计算了Y₂Ti₂O₇:Cr³⁺晶体的电子顺磁共振谱（EPR）参量(g因子g_//,g⊥和零场分裂D),计算中采用双旋-轨耦合参量模型,同时考虑了中心离子和配体的旋-轨耦合对EPR参量的贡献,计算结果与实验值很好地吻合.结果表明Cr³⁺掺入Y₂Ti₂O₇晶体会引起O^2-偏向[111]方向（C₃轴）2.55°,同时,杂质中心O^2--Cr³⁺键长相对于基质晶体的O^2--Ti⁴⁺键长增加0.005 A.