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通过采用不同磁场强度的磁铁获得了3种不同非平衡态的磁控管,采用单靶溅射模式于单晶硅衬底上制备了Cr膜.研究了不同磁场非平衡状态下磁控管的伏安特性,并对不同非平衡状态下溅射空间的磁场分布进行了模拟;采用扫描电镜和X射线衍射仪分别对所沉积Cr膜的微观组织和晶体结构进行了观察和分析.结果表明:随着磁场非平衡度的降低,靶表面磁场趋于内敛,磁场对等离子体的约束能力n值由6.05增至20.24.不同磁场非平衡状态下获得的Cr膜均为沿Cr(110)面择优生长的柱状晶结构,磁场非平衡度的增大有利于镀层颗粒的细化及表面质量的改善,但致密性变化趋势相反. 相似文献
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