全固体互补电致变色器件研究

利用ａ－ＷＯ３和ｃ－ＮｉＯ的互补电致变色性能，结合有离子掺杂的固体电解质，采用反应蒸发方法，制备了一种在可见光直至红外范围有优良电致变色性能的全固体电致变色器件．对于波长为０．５６μｍ的入射光，光透过率的变化在６０％以上．器件经数百次循环开关后仍有稳定的电变色性能．染色态到漂白态的响应时间为１７ｓ，漂白态至染色态的响应时间为６０ｓ．     

硅单晶片的机械损伤层

半导体器件的基本特性,甚至于整个器件的成败。往往取决于所用晶体的完美程度。晶体的不完整性不仅降低了基体的寿命,并影响其它工艺的顺利进行。尽管在制造器件前严格选择了低缺陷密度的单晶。但是还会因切、磨、抛工艺造成的损伤及 P—n 结工艺本身而引入大量的缺陷。对于机械加工(切、磨、抛)造成的不完整性区域,称为损伤层。它位于表面层,并有一定的分布梯度。利用 X 光双晶衍射,或用表面复合测试等方法都可以反映损伤深度,但涉及的设备昂贵,技术要求精细。本文介绍了利用恒定腐蚀速率法和坡形截面金相法进行损伤测量的技术;并对切、磨后损伤深度与磨料粒度、磨料类型、载料效应、材料类型、材料晶向等方面的关系进行了讨论。