硅的色散和椭圆偏振光谱

椭园偏振光法是通过分析光在样品上反射时偏振状态的变化而进行测量的,是研究薄膜和表面的一种有用工具。改变光的波长,测量椭圆偏振参数ψ、Δ,便得到椭园偏振光谱。     

多晶体CdS光敏电阻

一、前言近年来,半导体光敏电阻在国防、科学、技术中特别是工业自动化方面获得日益广泛的应用。对半导体光电导现象的研究和各种不同性能的光敏电阻的制备已引起了科学技术界的重視。目前已有各种类型的产品投入生产,它們有不同的光电特性和应用范围。其中CdS是很重要的一种材料,它可制成单晶或多晶体的光敏电阻。这种光敏电阻不仅对可见光而且对X射綫、γ射綫以及(?)、β等粒子流都有极高的灵敏度。因此CdS材料可制成作为輻射測量及自动控制元件的光敏电阻[1,2]、X射綫剂量測量計[3,4]、γ射綫及其他高能輻射接收器[5]。     

ADTD型闪电定位仪雷击分析及防雷防静电措施

2019年9月,庆阳市布设的ADTD型闪电定位仪遭遇雷击事故。本文分析了该电子设备遭受雷击的原因与雷电流的入侵途径,提出了防雷防静电的措施,为ADTD型闪电定位仪的正常运行提供有力保障。     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

应用低能正电子衍射对Si(111)-(2×1)表面结构的分析

对Si(111) (2× 1)表面 7个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能正电子衍射强度的分析的结果表明 ,该表面偏向于改进的π键链模型 ,但得到的可靠性因子不如其它化合物半导体表面结构分析时小 ,本文对其可能的原因进行了较详细的分析。