复合扩散SrTiO3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２ｏ３，Ｎａ２Ｏ３－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构，压敏和介电特性的影响，在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型。     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

ISG法制备钙钛矿纳米陶瓷薄膜

采用ＥＳＧ法合成钙钛矿稀土复合氧化物ＬａＭＯ３（Ｍｘ为Ｎｉ＾３＋、Ｃｏ＾３＋或Ｆｅ＾３＋）纳米陶瓷薄膜，研究了ｐＨ值对柠檬酸与Ｌａ＾３＋和Ｍ离子络合的影响及 合方式对形成ＬａＭＯ３的作用，发现ＬａＭＯ３前驱体凝胶膜对形成陶瓷薄膜有很大影响，慢的干燥速度、预处理温度与烧成温度，慢的干燥速度、预处理温度与烧成温度均有利于形成良好的陶瓷薄膜。     

LaNiO3纳米陶瓷薄膜氧敏特性的研究

以La(NO3)3.6H2O和Ni(NO3)2.6H2O,为原料,采用柠檬酸为螯合剂,利用溶胶－凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物LaNiO3纳米陶瓷薄膜,研究了薄膜的氧敏特性及烧成温度和掺杂对薄膜氧敏特性的影响。     

微孔Al_2O_3膜电泳沉积的研究

首次以无机盐 Al Cl3· 6 H2 O为原料 ,制得 γ- Al OOH溶胶 ,采用电泳法制备微孔Al2 O3陶瓷膜 ;研究了影响电泳沉积成膜速率的因素如沉积电流 -沉积时间和沉积速率 -沉积时间的关系及电极种类对电泳过程的影响 ;探讨了γ- Al OOH溶胶粒的带电机理和电泳成膜过程     

锶铋钽铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备过程与机制研究

采用可溶性无机盐为原料，利用溶胶-凝胶旋转涂覆工艺，在Si(111)／SiO：／Ti／Pt的衬底材料上制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。通过SEM及XRD等微观分析手段和实验与理论研究，重点探讨了第一次涂覆溶胶膜对晶态膜的开裂情况、成核与生长情况、晶体取向及与衬底间的相互作用等方面的影响。制备出了致密、均匀、无开裂、晶粒发育完好，且剩余极化(2Pг)与矫顽电场强度(2Ec)分别为9．6μC／cm^2与76kV／cm的铁电性能较好的薄膜，为可溶性无机盐溶液源制备SrBi2Ta2O9铁电薄膜研究打下了基础。     

微孔Al2O3膜电泳沉积的研究

首次以无机盐AlC l36H2O为原料,制得γ-AlOOH溶胶,采用电泳法制备微孔Al2 O3陶瓷膜;研究了影响电泳沉积成膜速率的因素如沉积电流-沉积时间和沉积速率-沉积时间的关系及电极种类对电泳过程的影响;探讨了γ-AlOOH溶胶粒的带电机理和电泳成膜过程.     

TiO_(2-x)纳米粒子薄膜型氧敏元件的性能

以钛酸丁酯和无水乙醇分别为前驱体和溶剂 ,添加适量稳定剂制成稳定溶胶 ,用浸涂法在 Al2 O3基片上制备 Ti O2 薄膜 ,经在 10 0 0℃氢气氛下还原制得 Ti O2 - x薄膜 .通过 SEM照片发现薄膜颗粒在几十纳米左右 ,颗粒分布均匀 .由 XRD分析 ,薄膜的 x值在 0～ 0 .5之间 .实验结果表明 ,Ti O2 - x薄膜在 80 0℃下具有良好的氧敏感性和响应特性 ,薄膜在 N2 条件下具有很好的电阻 -温度特性     

LaNiO_3纳米陶瓷薄膜氧敏特性的研究

以 L a(NO3) 3· 6 H2 O和 Ni(NO3) 2 · 6 H2 O为原料 ,采用柠檬酸为螯合剂 ,利用溶胶 -凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物 L a Ni O3纳米陶瓷薄膜 ,研究了薄膜的氧敏特性及烧成温度和掺杂对薄膜氧敏特性的影响     

TiO_2纳米薄膜的制备与氧敏性能的研究

本文通过 Sol- gel法在 Al2 O3基片上制得了 Ti O2 纳米薄膜 ,经 XRD分析 ,薄膜具有多晶结构 ,其主晶相为金红石 .本实验还对 Ti O2 薄膜的氧敏特性进行了研究 ,实验结果表明 ,Ti O2 纳米薄膜在 80 0℃下具有良好的氧敏特性和重复性 ,并且具有较快的响应速度