参加第8次全苏半导体会议记

苏联科学院于去年11月14—20日在列宁格勒召开了第8次全苏半导体会议。与1950年召开的第7次会相比,报到的代表人数增加到4倍多,而参加会议的人数又是报到的代表人数的两倍多。有这么多人参加会议很明显地说明了科学及技术界对半导体的研究及应用有着很大的、日益增长的兴趣。     

高场作用下有机单层器件的复合发光

考虑载流子经过体材料内部所受限制对Fowler-Nordheim隧穿电流密度的影响, 建立了高电场下有机单层器件的复合发光模型, 并求出了复合电流密度和复合效率以及电导率的数学表达式, 很好地解释了电场强度对迁移率和复合区域的调制作用. 载流子的平衡注入以及复合区域的尽可能靠近器件中部以减少漏电流, 都是提高器件发光效率的重要条件. 只有当电压增大到某一数值时, 由于注入的载流子多于器件实际输运载流子的能力, 才会出现空间电荷限制电流.     

双层有机电致发光器件中电场分布对载流子复合区的影响

研究了可溶性ＰＰＶ衍生物薄膜在双层结构器件中的电致发光以及有机层厚度对器件发光性能的影响。对于不同厚度的Ａｌｑ３电子传输层,器件的发光光谱随着电压的增加出现不同的变化规律。     

第三代场致发光的尝试

为提高发光亮度,本文详细分析了场致发光中的瓶颈过程。发现碰撞激发截面的五个特征:依赖入射电子方向,依赖入射电子能量,依赖发光中心寿命,依赖末态密度,存在不同阈值对不同激发态。并以ZnS:ErF_3的绿、红发光强度比为内标,在有源区外,设置预热层及加速层,选取合适材料,获得及证实了所得过热电子具有较一般结构中更高的平均能量,并对激发截面的某些特征作了实验论证。从实验上直接证明了离化倍增,并计算了它的系数,比文献中报导的都高。它同时显示了采用阴极射线发光材料,以获得彩色发光的可能性。     

Luminescence Property of Phosphor Gd 3Ga 5O 12 :Ag

采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发学材料,用Ｘ光衍射对材料的结构进行了分析．并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件．对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试．得出器件亮度大约为２尼特     

新结构SrGa2S4:Ce蓝色TFEL研究

用电子束蒸发制备了新型的SrGa2 S4 ∶Ce薄膜电致发光器件 ,获得了稳定的、色纯度较好的蓝色发光 .在这种结构中 ,介质层的介电常数比传统结构的器件低得多 ,且低于发光层的介电常数 ,这有利于电子在SiO和SiO2 层中的预热和加速     

Ce3+在硫氧化物中的TFEL

采用基质混合的方法制备了新的ＴＦＥＬ材料ＺｎＳｘＯ１－ｘ：ＣＥ＾３＋。在的Ｃｅ＾３＋掺杂浓度下ＺｎＳｘＯ１－ｘ：Ｃｅ＾３＋ＥＬ亮度高于ＺｎＳ：Ｃｅ＾３＋一个量级以上,其发光波长范围为４００￣６００ｎｍ。ＺｎＳｘＯ１－ｘ：Ｃｅ＾３＋可望用于白色ＴＦＥＬ的蓝光部分。     

TFEL发光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er³⁺ 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er³⁺ 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位V_S、Zn空位V_Zn、浅施主Cl_S 和F_S、深受主Cu⁺ 等 .S空位是双施主能级 ,V¹⁺_S 和V²⁺_S 分别位于导带底1.36和2.36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V^1-_Zn 和V^2-_Zn 距价带顶分别约为1.00和1.50eV ;Cu+能级位于价带顶12 6eV处.另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;Cl_S 和F_S 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素.