锗和砷化镓隧道二极管某些参数的温度关系

§1.引言隧道二极管峰值电流L_p,峰值电压V_p和結电容C等参数随温度变化規律的研究,在理論上及应用上都有一定的意义。理論上可以提供簡并半导体能带結构及簡并p-n結內电流傳輸机构的知識,实用上可以提供設計参数几乎不随温度变化的隧道二极管的資料。锗隧道二极管峰值电流与温度关系已发表了許多研究結果。总括起来,在4.2°K     

张家港保税区向自由贸易区转型思考

伴随着中国入世,保税区在面临严峻挑战的同时,也迎来了难得的发展机遇。如何把握机遇,与时俱进,在更大范围和更高层次上参与国际经济合作与竞争,尽快融入世界经济平台,在探索实践中逐步实现向自由贸易区过渡转型,已成为保税区新一轮创业所面临的重要课题。     

简并锗p-n结热电流与体电阻的温度关系

§1.引言自从江崎指出在簡并半导体P-n結处于較大正向偏压时,流过結的电流与一般低掺杂半导体P-n結中的扩散电流雷同之后,几年来对这一部分电流性质的研究工作并不多見。直到最近Sommers和Meyerhofer等在系統研究簡并锗特性基础上,对这一部分电流,即所謂热电流(因为它与温度有較灵敏的依賴关系),进行了探討和分析;提出了对此电     

水锁抑制工作面瓦斯超限机理实验研究

在煤矿开采中,回采工作面落煤时的瓦斯大量涌出常常导致工作面瓦斯超限频繁,针对回采工作面的瓦斯超限问题,采取降压解吸的方法分别进行了无外液侵入、质量分数为0.0%渗透剂溶液(即纯水)和质量分数为0.025%JFC渗透剂溶液侵入条件下瓦斯解吸对比实验,获得了瓦斯解吸实验数据和曲线。结果表明:无论有无外液侵入,含瓦斯煤体的瓦斯压力越大,瓦斯解吸量越大;与无外液侵入煤样相比,有外液侵入煤样在不同压力点下的瓦斯解吸量都有不同程度的降低,特别是喷洒0.025%的JFC渗透剂的瓦斯解吸量降低效果更好;实验验证了渗透剂能在短时间内形成对煤瓦斯解吸的水锁封堵效果。可结合实际通过抽采+水锁或采前向煤体注液形成水锁的方法来抑制瓦斯释放量和瓦斯释放速度,进而解决回采工作面存在的瓦斯超限问题。     

半导体芯片截面的扫描电镜分析

用扫描电子显微镜(SEM)对集成电路芯片截面进行了分析,介绍了芯片截面的制备方法、结构显示和SEM观察技术,并对集成电路中一些重要的制造工艺进行了分析,得到了用其他方法较难得到的重要的器件几何参数。