器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨

通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释.     

梯度型聚合物光纤预制棒折射率分布的间接测试

利用紫外光对溴苯（BB）的吸收作用，采用紫外吸收光谱法对PMMA－BB梯度型聚合物光纤预制棒的折射率分布进行了间接测试，详细介绍了这种紫外有机光谱法的测试原理及方法，测试结果表明，所制备的预制棒的折射率分布是呈抛物线分布，但在最佳理论分布有着一定的偏差，与Lorentz-Lorenz模拟方程的结果相对接近。同其他复杂的测试方法相比，紫外光谱法所需仪器普通，测试简便，不失为实验室中较为简单易行的一种预制棒折射率分布测试方法。     

含盐冰的特异高介电常数特性

在-5℃～-60℃温度范围内,对掺有一价碱卤盐离子的含盐冰的介电特性进行了实验研究。结果发现在相同条件下,一定浓度的含盐冰具有极高的介电常数,它比纯冰的介电常数高出几倍甚至几十倍,最高可达10~3以上。从浓度为0.9％NaCl 含盐冰的介电温谱中发现,在相同温     

固体电介质在直流与交流均匀电场下击穿电压与厚度关系的试验研究

本文报导了我们在研究固体电介质电击穿规律时,所采用的取得均匀电场消除边缘效应与沿面放电的试验方法,以及NaCl单晶及有机薄膜介质在应用上述方法所获得在直流与交流均匀电场下的击穿电压与厚度关系的试验研究结果。     

氘化、氟化对塑料光纤损耗性能的影响

利用Morse势能理论,计算了不同化学键C-X（X分别为H、D、F）的振动吸收损耗,发现在波长小于3000nm时,C-H键的损耗最大,C-D键的次之,C-F键的最小;在波长大于3000nm时,C-F键的损耗超过C-D键的,因为塑料光纤本征损耗主要是C-H的振动吸收损耗,如果用D、F替代塑料光纤材料中C-H的H,C-X在可见光区及红外光区的振动吸收损耗就能显著降低,利用氘化、氟化的聚合物材料可制备出损耗小于10dB/km的低损耗塑料光纤,研究结果为降低塑料光纤损耗提供了新的理论依据。     

偶联剂对高分子PTC材料性能的影响

研究了偶联剂对高分子正温度系数 (ＰＴＣ)材料性能的影响 ,发现Ｊ1、Ｊ2在中低温时有较好的分散效果 ,但高温时较差 ;耐高温的偶联剂Ｊ3在高温时有更好的分散效果 ,从而使高分子ＰＴＣ材料有较好的高温性能 ,但在中低温时稳定性较差 .另外 ,辐照交联可以很好地增加材料的ＰＴＣ强度和降低ＮＴＣ强度 .对实验现象从理论上进行了定性分析 .偶联剂对高分子PTC材料性能的影响@储九荣$西安交通大学!710049,西安 @席保锋$西安交通大学!710049,西安 @徐传骧$西安交通大学!710049,西安…     

马铃薯变性淀粉用作钻井液降失水剂的研究

为克服羧甲基纤维素 (CMC)类降失水剂的缺陷 ,合成了醚化、接枝热交联淀粉 .将这两种产物单独及复配后用作钻井液降失水剂 ,并依据API标准对其降失水性能进行了评价 ;通过正交实验对其合成工艺进行了优化 ;运用红外光谱对其结构进行了表征 .研究结果表明 :合成醚化淀粉时最合适的用水量为 15mL ;合成接枝淀粉时最合适的单体用量为 4 .5 g ,热交联温度在 35℃时所得产品降失水率最高 ;醚化淀粉与接枝淀粉复配质量比为 1∶1时降失水性能较理想可达到 5 0 % ;醚化、接枝反应确已发生并在分子中引入了相应的官能团 .该产物对环境基本无伤害 ,有望部分或者完全取代CMC类钻井液降失水剂     

交变电场作用下离子扰动对KMnO4水溶液相变过程的影响

为探索生物材料低温保存的新方法,以质量分数为0.9%的KMnO4溶液为实验样品,将其置于-30℃低温环境中冷冻,同时施加交变电场(频率为50 Hz~100 kHz)干扰,通过显微观察研究交变电场对含盐溶液液-固相变过程的影响.研究发现,交变电场作用对溶液中冰晶生长具有明显的抑制作用,形成的纯水冰晶体积明显减小,离子分布趋于均匀,部分区域可能形成微晶冰或含盐冰.分析认为,对于强电解质溶液,交变电场作用下产生的离子扰动是影响含盐水溶液液-固相变过程的主要原因.     

脉冲电流电磁场对淋巴细胞染色单体互换的影响

通过不同模式的脉冲电流电磁场(PCEMFs)对离体的人体外周血淋巴细胞进行电磁辐射,初步得出PCEMFs对淋巴细胞姊妹染色单体互换(SCE)影响的规律:细胞SCE和破坏的程度与PCEMFs的磁感应强度Bm及其变化梯度dB/dt呈正相关关系.提出了使细胞SCE发生变异的临界参考指标,其中Bm为0 15T,dB/dt为1 8×104T/s,破坏的临界参考指标分别为2 64T和3 3×104T/s,为强电流脉冲放电环境的电磁防护研究提供了实验依据.细胞SCE及破坏的程度和PCEMFs中电场和磁场的空间相对位置有关,电场和磁场相互垂直的PCEMFs对细胞的影响程度比其他结构形式的PCEMFs显著.