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填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4 Oi. 相似文献
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镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟 总被引:1,自引:1,他引:1
利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷.并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿. 相似文献
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采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构,并用F心及F^ 心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F^ 心的电子基态能级,计算结果表明,F心及F^ 心电子基态能级分布在禁带中,分别位于距导带底1.97eV(630nm)及2.36eV(525nm)处,它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁,使晶体呈现F心及F^ 心吸收带,化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500-700nm,呈现一个宽吸收带,高斯分解的结果表明;该吸收带是由两个峰值分别位于550nm和680nm的吸收带叠加而成的,这两个吸收带分别对应于F^ 心及F心吸收带,计算结果与实验数据吻合较好。 相似文献
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二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额. 相似文献
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运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中F型色心的电子结构,得到了PWO晶体的态密度分布,讨论了色心的可能光学跃迁模式,并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明,F、F^+心在PWO晶体的禁带中引入了施主能级,F、F^+心可向W 5d轨道发生跃迁,其跃迁能分别是1.83eV、2.28eV,因此,可推断F、F^+心能引起PWO晶体中680nm、550nm的吸收。 相似文献
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使用相对论性密度泛函计算程序,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理.计算了铅空位周围晶格的弛豫,得到铅空位周围的晶格结构.结果表明,铅空位周围次近邻的正离子(Pb^2 和W^6 )向铅空位迁移,而铅空位周围最近邻的负离子(O^2-)向远离铅空位的方向迁移.晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对实验上发现的HfCr_2合金立方和六角相在0~20GPa范围内的稳定性、电子结构和弹性等进行了研究.计算结果表明,在研究的压力范围内2种结构在力学上都是稳定的,但从能量上看,立方相结构能量更低,从而六角相以亚稳态存在,这与实验结果相符.随压力增加,HfCr_2合金的体模量B、剪切模量G和杨氏模量E的值均增加,但剪切模量值始终最小,表明合金抗剪切能力较差.对合金的弹性各向异性研究发现,在研究压力范围内2结构都展示出较强的各向同性,但随压力增加,立方相各向同性增强,而六角相则减弱.对各向异性的进一步研究表明,立方相和六角相的体模量总体上呈现出较强的各向同性,而杨氏模量则呈现一定的各向异性.对HfCr_2合金泊松比和G/B值的研究表明,2个相在0 GPa下均表现出延展性,且随压力增加延展性增强.最后,研究HfCr_2合金的应力-应变关系,结果表明对于立方相结构,理想的拉伸强度和剪切强度分别发生在[1 0 0]方向和(1 1 1)■方向,而对于六角相结构,则分别发生在[0 0 0 1]方向和■方向. 相似文献
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采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3 时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3 离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3 ∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3 时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3 时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3 ∶PWO4晶体中掺La3 可以有效地抑制420 nm吸收. 相似文献
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应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K^ :PbWO4的350nm吸收带减弱的原因.计算结果表明,高浓度掺K离子将消除420nm吸收带,改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能. 相似文献