近表面辉光放电促进金刚石在镜面抛光硅表…

近表面辉光放电实现了在镜面抛光硅表面的高密度形核。形核时间可以缩短到３ｍｉｎ，形核密度可达〉１０＾１０／ｃｍ＾２。用原子力显微镜观察近表面辉光放电法和负偏压法处理的基片表面形貌、观察结果表明近表辉光放是法极大地避免了正，负离子轰击造成榈表面的破坏。