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本文报道了利用ＸＲＤ、ＲＢＳ、ＳＰＲ、ＡＥＳ、ＳＥＭ、ＴＥＭ和Ｋｅｌｖｉｎ电阻桥法（ＣＢＫＲ）等测量技术系统地研究化钛／硅，硅化钴／硅欧姆接触特性。实验结果表明：硅化钛（硅化钴）／硅欧姆接触电阻率（Ｐｃ）不仅受表面层掺杂浓度而且也受退火温度，杂财分布及硅化物／硅介面形貌等因素影响。 相似文献
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