“红姑娘”

故乡有一种野生植物,它有一个动人的名字,叫做“红姑娘”。它的果实像一个淡绿色的小灯笼,把那小灯笼打开,里面便有一粒红溜溜的果实,圆得和珍珠一样,红得像珊瑚一般,唤它作红姑娘,也可能就是由于这些特色吧!     

基于HLA和GIS的作战想定整合与态势演播

HLA是近几年发展起来的一种体系结构标准，介绍了将HLA/RTI和网络GIS的集成研究成果及其用于想定整合与态势演播取得的有益实验结果。     

反击式破碎机腔型的数值仿真研究

冲击式破碎机的腔型主要取决于反击板的形状。为对反击板形状进行仿真研究,建立了板锤一物料的有限元冲击碰撞模型。然后,采用7种不同的物料一板锤相对位置关系,对物料受冲击后的飞行轨迹进行了仿真。根据反击板表面法线应平行于物料飞行轨迹的要求,提出了反击板形状的优化方法。同时,对冲击速度、转子半径、物料尺寸以及物料性质对反击板形状的影响情况也进行了仿真研究,发现冲击速度和物料性质对反击板形状的影响不是很大,而物料尺寸和转子半径对反击板形状的影响较大。     

南沱冰期锰矿的起源和时代

震旦纪南沦冰期锰矿保存了古海洋化学的宝贵信息,是南沱冰期沉积地层中不可多得的研究对象.它们的起源和形成时代对于探讨晚元古代末期全球发生的巨大地质变化及确定地层时序标准具有重要意义.但长期以来对此一直有不同的看法.本文试图通过对南沱组锰矿的元素地球化学测定和Sm-Nd法定年,对此进行探讨.     

吊车垂直荷载作用下的柱顶剪力公式推导

在《钢筋混凝土结构》教程中，关于吊车荷载作用下，计算排架柱顶剪力的公式都有直接给出。但是，一般都没有介绍公式的详细推导，或只作简单的介绍，使学生对公式只能知其然、而不知所以然。为提高教学质量，并结合已学过的有关力学知识，本文较详细地介绍柱顶剪力公式的推导。     

经砷诱导人肝细胞L02获得砷耐受性的研究

砷是自然界普遍存在的毒性较强的类金属元素。几乎所有生物在进化中都产生了对砷毒性的耐受性。生物体对砷的耐受机制受到广泛关注。本实验采用低剂量(4μmol／L)NaAsO2诱导人体正常肝细胞株LO2,利用噻唑兰检测法(MTT)计算细胞生存率及半数致死量反映细胞对砷耐受性的改变，结果发现低剂量砷诱导6周后，在48h急性砷中毒试验中，实验组LC50为23．0μmol／L，对照组为11．9μmo1／L，实验组明显高于对照组，说明细胞对急性砷中毒耐受性明显提高。     

常用油管钢的CO_2局部腐蚀速率

通过模拟国内某油田腐蚀环境中的高温高压试验,研究了N80,P105,SM110油管钢的局部腐蚀速率·结果表明,N80,P105和SM110油管钢均表现出了较高的腐蚀速率·在影响局部腐蚀速率的各个因素中,流速和油水比对局部腐蚀速率的影响最明显,对比N80钢,含水100%的腐蚀速率比含水30%及70%时高出15倍及5倍以上·P105和SM110钢也如此,P105钢变化最大,含水100%时腐蚀速率比含水30%时高出50倍·CO2分压和氯离子浓度也会在一定程度上影响油管钢的局部腐蚀的趋势·     

甜杨桃盆栽技术

杨桃(Averrhoa Carambola)又名阳桃，属酢浆草科，五剑子属。甜杨桃原产热带、南亚热带地区，属常绿小乔木果树，喜温耐阴较耐湿，忌烈日，不耐寒。甜杨桃植株较矮，生势较弱，叶色绿，花淡紫红色，果实淡黄至绿黄色，果棱美观，果身饱满，味甜，清脆可口。甜杨桃由于持续开多次花，结多次果，枝     

超级13Cr不锈钢的钝化膜耐蚀性与半导体特性

利用极化曲线和Mott-Schottky曲线,研究了超级13Cr马氏体不锈钢在100、130、150和170℃且含CO2和Cl-的腐蚀介质中浸泡7 d所形成的钝化膜的电化学行为和半导体性质.同时应用光电子能谱表面分析技术分析了超级13Cr钝化膜中的元素价态.结果表明,超级13Cr马氏体不锈钢经腐蚀过后形成的钝化膜表层中Mo和Ni以各自硫化物的形式富集,而Cr以Cr的氧化物的形式富集.在100℃和130℃形成的钝化膜具有良好的耐蚀性,而在150℃和170℃形成的钝化膜耐蚀性下降.产生这种现象的原因与表面钝化膜的半导体性能密切相关,在100℃和130℃中形成的钝化膜具有双极性n-p型半导体特征,且随着温度升高掺杂数量增多,而150℃和170℃介质中形成的钝化膜为p型半导体,故随着温度升高,超级13Cr马氏体不锈钢的耐蚀性能下降.     

天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究

采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品. 通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小. 当退火温度达到 700 ℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱. 采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质. 薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的