NaI(Tl)闪烁探测器单能γ谱的Compton坪台

利用Compton散射截面Klein Nishina公式和Monte\|Carlo粒子输运(MCNP)程序研究NaI(Tl)闪烁探测器单能γ能谱的Compton坪台. 通过考虑光子在探头闪烁晶体中的次级效应及探测器的能谱展宽等因素, MCNP程序模拟所得NaI(Tl)探测器单能γ能谱的Compton坪台与实验能谱符合较好, 并解释了理论曲线与实验曲线存在差异的原因.     

材料内虚拟分层对计算电子输运结果的影响

用Monte-Carlo方法计算虚拟界面中电子在不同目标处通过的粒子积分流量和能量沉积. 根据材料内单层多次模拟数据, 计算一次虚拟多层模拟数据的偏离程度. 结果表明, 入射电子能量越低, 虚拟多层单层厚度越薄, 层数越多, 计算结果偏离程度越大.