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提出用ReadX射线相机照相制作多晶薄膜极图,进而确定薄膜织构的方法,并推导出相关公式。 相似文献
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CoSi_2 薄膜的织构研究 总被引:2,自引:2,他引:0
对厚度约为0.4μm的CoSi2多晶薄膜的织构进行了研究。X射线极图分析表明,薄膜表现出与以往文献中所报导的CoSi2薄膜完全不同的织构类型。在Si(111)衬底上织构轴为[130],且平行于Si[111]。除[130]织构轴外,其它晶向亦有择优取向。 相似文献
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对厚度约为0.4μm的CoSi2多晶薄膜的电学性质进行了研究。在-200℃~20℃温度范围,测量了CoSi2薄膜的电阻率。室温下,电阻率为9~20μΩ·cm.随着温度的降低,电阻率减小,且表现出较好的直线性。 相似文献
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