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纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理 总被引：3，自引：0，他引：3
以SnCl4·5H2O等为主要原料,在160～200℃时成功地制备出分散性好、晶型完整、结构稳定的四方晶型纳米氧化锡枝蔓晶,并用透射电子显微镜、电子衍射、X射线衍射等技术手段对氧化锡纳米晶的结构和形貌进行了表征.结果表明:制备得到的SnO2微晶具有枝蔓状外观结构,其躯干长为3～5μm,直径为100～200nm,枝节长为5～8μm,直径为10～40nm.同时对其可能形成机理进行了探讨,初步认为其形成过程是一个成核并延伸生长的过程. 相似文献
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