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由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5％HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧化气氛中退火,有利于原始硅片中潜在微缺陷的消除和推迟间隙氧的沉淀,增强间隙氧的外扩散,可获得较宽的DZ. 相似文献
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