政府研发资助对高技术产业创新产出的影响——基于分行业的面板门槛回归分析

基于我国2009—2020年省级面板数据,试图厘清政府研发资助与高技术产业创新产出的复杂关系,并运用面板门槛模型进行分行业实证检验。结果表明：政府研发资助对高技术产业创新产出的影响存在行业差异。在医药制造业、计算机及办公设备制造业、电子及通信设备制造业中,随着政府研发资助强度的增加,政府研发资助的激励效应呈现边际效应递减的非线性特征。在医疗仪器设备及仪器仪表制造业中,政府研发资助对创新产出具有不显著的挤出效应,且不存在门槛效应;但无论是哪个行业,企业自有研发投入对高技术产业创新产出均产生了显著的促进作用。     

a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

超声分子束中穿越加宽对光谱线型的影响

讨论了超声分子中吸收或发射谱线的穿越加宽效应，导出了线型函数的积分表达式，并与实验数据进行拟合，结果非常一致.     

浅析地下水的浮力对基础的影响

随着深基础在高层建筑中的广泛应用,深基础施工技术也日趋完善,但目前在深基础施工实践中,高水位地区深基础施工中的抗浮问题应引起充分重视,并根据工程实际情况采取相应的对策,以避免和减少水的浮托力对深基础施工中的各个阶段带来的不利影响与破坏。     

一种多敏感空指针引用错误的静态检测方法

空指针引用错误是一种常见的、难以发现和避免的程序错误。针对该错误,结合传统静态分析方法和符号执行方法,提出一种过程内流敏感、路径敏感和过程间上下文敏感的多敏感静态分析方法。对全局指针、局部指针以及函数的指针类参数进行建模,对指针指向地址进行简化分类。在函数间传递指针的指向状态,在函数内遍历路径,使用约束求解的方式判定路径可达性,当函数分析结束后,在退出点进行指针状态信息合并,以减少漏报和误报。在此基础上,使用人工标注错误触发条件的方式进一步提高分析效率,减少漏报和误报。实验证明,该方法能够高效地检测出各类空指针引用错误。     

镇泾地区长8、长6段储层特征及成岩作用对孔隙的改造

研究鄂尔多斯盆地镇泾地区三叠系延长组长8、长6段砂岩储层特征,探讨成岩作用对储层孔隙演化的影响.通过钻井岩心、薄片鉴定、扫描电镜、物性分析等资料,对长8、长6段储层特征及成岩作用进行了系统研究,开展孔隙演化定量计算,定性和定量分析了成岩作用对孔隙的改造.结果表明:长8、长6段属典型的低孔、低渗储层,成分成熟度中等,结构...