纳米SiO2/PMMA复合材料的光学性能

以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为基体,通过原位复合的方法制备含纳米SiO₂的复合材料。用紫外-可见分光光度计（UVPC）和傅里叶红外光谱仪（FT-IR）研究复合材料的光谱特性。结果表明:当掺入少量纳米SiO₂时,复合材料的反射谱峰和透射谱峰均发生一定程度的红移;当纳米SiO₂含量超过一定量时,复合材料透过率显著降低。此外,依据Frrsnel’s公式和Beer’s定律计算了复合材料的光学常数。     

压埋法制备MgB2超导材料的工艺

介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法。采用该方法得到的样品的临界温度可高达38．4K，与常规方法得到的样品的临界温度相近。对这种方法的合成工艺进行了探讨，发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大。在相同的0．5h保温时间条件下，烧结温度在1073-1123K温区获得的样品临界温度最高。固定烧结温度(1123K)，不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低。进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究，实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度下降。这可能与样品内过量的杂质有关。