纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子

基于介电连续模型和Loudon单轴模型,采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模.结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化.对给定波矢,在不同的频率范围内,存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模.声子色散关系和静电势分布表现出较AlN/GaN/AlN单量子阱更为复杂的形态.     

讲授《化工原理》精馏方法的探讨

以探讨精馏的教学方法为目的,用定性分析方法,案例教学法,问题方法与对比法将精馏原理在精馏操作中的核心地位显现出来,从而增加学生理解,强化教学内容。     

氨水沉淀法制备纳米NiO中溶液的反应与竞争平衡

以NiCl2 ·6H2 O为原料 ,水为沉淀剂 ,在常温下 ,用水作溶剂 ,通过单相沉淀法制备出纳米NiO。该法简化了操作程序、降低了加工成本 ,且原料易得价廉 ,便于实现工业化生产。该法的关键是如何控制好溶液中的化学反应及其竞争平衡 ,本文从原理到应用作了详细的阐述。     

纳米MnO2的制备与应用研究

采用KMnO4氧化还原和废旧电池回收2种方法合成出纳米MnO2粉体, 用显微图像仪和红外研究了MnO2粉体特性,结果显示2种方法合成的纳米MnO2平均粒径都在100～120 nm,有较好的分散性.对H2O2的分解的定量实验,发现2种方法合成的纳米MnO2对H2O2分解的催化活性均高于普通分析纯MnO2.     

体横光学声子双模性对纤锌矿Al_xGa_(1-x)N量子阱中光学声子的影响

本文采用介电连续模型讨论纤锌矿Alx Ga1?x N的体横光学(TO)声子双模性对其量子阱中光学声子的影响.首先,给出Alx Ga1?x N中TO声子的频率的二次多项式拟合公式,在组分x=0和x=1时,使TO声子频率可回归至GaN和AlN情形.进而,分析Alx Ga1?x N含频介电函数随组分的变化.结果显示TO声子频率的单模或双模性将影响单个或两个共振频率下的含频介电函数;最后,以AlN/Alx Ga1?x N/AlN量子阱为例,计算界面和局域光学声子色散关系和声子静电势的影响.结果表明,纤锌矿Alx Ga1?x N的TO声子双模性在量子阱光学声子以及相关的理论计算中是不可忽略的.     

纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响

对三元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修正的无序元素等位移(MREI)模型,横光学声子则分别采用线性拟合(LF)和二次多项式拟合(QMF)方法,计算获得界面声子对电子的散射作用.结果表明,用LF方法获得的电子迁移率高于用QMF方法计算的值.随着Al组分的增加,两种方法之值均逐渐单调增加,且变化趋势类似.在适当的Al组分时,两种方法得到的电子迁移率都存在极值点.     

无机物显微结构研究

在显微镜下观察无机物沉淀晶形是一种较为直观的鉴别无机物沉淀的方法，研究无机物沉淀在一定的内，外界条件（浓度，温度，酸碱度等）下所具有的不同为微结构，不仅可鉴别不同的无机物沉淀，还可在教学中培养学生的审美情趣，提高学生的动手操作能力。     

化工原理中哲学思想的体现

化工原理中的哲学思想,主要体现在物质的属性是在运动中显示出来;联系和发展的基本规律、基本环节的应用,以及从化工原理实验、实践中得到复杂的规律丰富了辨证法;同时哲学思想对更深层学习好化工原理有着非常重要的作用.