电场和气压对激光合成SiC超细粉末的影响

用TEA CO_2激光诱导四甲基硅烷(TMS)的气相反应,生成了纯而均匀的SiC超细粉末,粒径小于0.2μm。把反应物置于均匀外电场中,可以使引发化学反应时所需的激光功率密度阀值降低一倍。TMS气压可达到40kPa。讨论了气体分压比对反应速度、产率与产物成分的影响。