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1.
采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2,
并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1
min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48
eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺. 相似文献
2.
文中对郑州黄河公路三桥的工程地质条件和勘察成果进行了评述,对存在的工程地质问题提出了处治意见,并对下一阶段勘察工作提出了建议. 相似文献
3.
Bi_2O_3-SiO_2系统是一类重要的无机硅酸盐系统,其晶体材料具有光学、光电、电导、声光、压电等性能。本文综述了目前对于Bi_2O_3-SiO_2系统高温熔体的认识,分析了Bi_2O_3熔体的相变。Bi_2O_3-SiO_2系统高温熔体的液相状态、相平衡及熔体结构,最后阐明了该领域研究热点、可能的应用以及需要进一步研究开发的课题。 相似文献
4.
5.
本文运用克拉申二语习得理论中的情感过滤假设,探讨了情感因素(动机、焦虑、自信等)在大学英语教学中的作用及其对教学的启示。 相似文献
6.
通过一个谱问题得到了一类孤子族方程:包括广义TD(k=1),TD(k=1,α=0),广义C-KdV(k=0)与C-KdV(k=0,α=0)等,进而利用Riccati方程及相容条件得到了此类孤子方程的无穷多个守恒量及其连带流。并且针对特定的非线性发展方程,给出了其精确的孤子解及椭圆函数解。 相似文献
7.
提出自动测试(或虚拟仪器)的接口技术应跟随通用计算机接口技术与标准的原则,即在自动测试系统中采用通用串行总线(USB)接口是发展的方向.具体论述了USB的基本特性和用于自动测试系统中的开发方法与应用前景. 相似文献
8.
ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上· 相似文献
9.
角焊缝弯扭计算的两类问题 总被引:1,自引:0,他引:1
利用已知弯扭力学模型和力学知识,对连接中角焊缝弯扭问题给出一套界定办法,使弯扭问题的判别变得明确清楚,从而解决了弯扭设计中的一些模糊问题。 相似文献
10.
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明,纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。 相似文献