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基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现 沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜, 阈值电场为12 V/μm, 电场升到34 V/μm, 场发射电流为280 μA/cm2. 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线, 表明电子是通过 隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的. 相似文献
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