MOS场效应四极管

一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n~+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n~-扩散区用来连接两个沟道,相当于一沟道的漏极,二沟道的源极。在一般电路中,源极接地,漏极接电源,信号由一栅输入,二栅作为自动增益控制电极。这样,随漏压V和两个栅压V_(G1)、V_(G2)的不同,MOS场效应管有四种不同的工作状态。如果用“S”和“L”分别表示沟道工作在饱和区及线性区,用“1”和“2”分别表示一沟和二沟道,那么,四种工作状态可表示为     

他举电路的分析与设计

本文分析他举电路的工作原理,给出该电路的n沟硅栅工艺设计方案,实验结果证明,该电路在驱动能力、工作速度等方面都是极好的。因此,可做为LSI和VLSI中的驱动电路。     

大规模集成电路的关键电路之一——他举电路

在MCS LSI中,由于集成度的提高,无论是在片还是脱片都对驱动器提出了更高的要求。既要能驱动较大的电容负载,又要能驱动较大的电流负载,既有电平的要求,又有速度的要求。在MCS LSI中,驱动器是各种各样的,如电阻、晶体管负载反相器、推挽输出器、双向驱动器、自举电路等等。现在介绍他举电路。因为他举电路一举满足上述诸要求。这在我们研制的多功能台式机的LSI片中得到了证实。在这里我们介绍他举电路的原理、设计和应用。     

一种很有前途的MOS器件——VMOS管

本文报告了一种 VMOS 管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了该种短沟 VMOST 阈电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了 VMOS 短沟道器件具有高击穿电压,高截止频率的优点。并可以用作功率器件。     

短沟道器件阈电压模型

本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。     

短沟道MOS器件阈电压和跨导的温度关系

本文从yau的模型出发,推导出了短沟道硅栅MOSFET的阈电压表达式及阈电压与温度的关系:并考虑短沟道MOSFET的扩散电流。推导出简单的电流—电压关系表达式,求出了跨导;得到了与试验一致的结果。发现,随温度的降低,MOSFET的阈电压的大小上升,阈电压的温度梯度的大小减小,跨导的大小急剧上升。结果表明,MOSFET更适合低温下工作。     

VLSI设计中的可靠性问题

本文概括了VLSI中出现的新的物理现象及其物理模型,指出了VLSI设计中的不可靠因素及设计的最佳化。     

一种新的双栅MOSFET物理模型

本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。     

传感器和执行器的未来

本文评述微传感器和微执行器的发展 。     

双栅MOSFET的实验特性

本文简要介绍了双栅MOSFET工作原理和物理模型。着重说明了双栅MOSFET在各种工作状态下的源——漏输出特性以及漏电导和跨导特性。在这项工作中,用来测试的双栅晶体管是采用n沟单层铝栅工艺制造的。