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常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出（002）单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80 W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5％时,氮化铝（002）晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好. 相似文献
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